AI时代存储“超级牛市”降临？透视A股存储核心产业链掘金逻辑

孙华秋

2026-01-27 18:20:58

来源: 时代商业研究院

存储产业链迎估值盈利双升

来源|时代商业研究院

作者|孙华秋

编辑|韩迅

随着AI算力需求爆发式扩容，全球存储芯片行业正迈入一轮远超传统周期的“超级牛市”。这轮行情并非短期库存波动催生的阶段性反弹，而是下游需求爆发、供给结构优化与产业链国产化浪潮共振催生的结构性景气周期，直接驱动DRAM、NAND Flash及HBM等核心产品价格持续飙升。A股存储芯片产业链各环节企业订单饱满、业绩弹性持续兑现，已然成为资本市场当下的核心主线之一。

近日，多家存储芯片企业率先披露2025年业绩预告，交出超预期答卷。其中，德明利（001309.SZ）预计2025年归母净利润同比增幅达85.42%～128.21%，佰维存储（688525.SH）同期扣非净利润同比增幅更是超10倍，业绩爆发力凸显。但在行业繁华表象之下，新一轮技术迭代与周期波动的博弈已悄然拉开帷幕。

一、行业景气度：AI驱动超级周期，供需缺口奠定涨价基础

从市场规模来看，存储芯片是集成电路领域的核心赛道。据世界半导体贸易统计协会（WSTS）统计，2024年全球存储芯片市场规模达1655亿美元，占集成电路整体市场规模的31%。据市场研究机构Omdia和WSTS的数据，DRAM是当前市场规模最大的存储芯片，2024年全球DRAM市场规模达976亿美元，占存储芯片市场规模的比例约为59%，占据主导地位。

需注意的是，DRAM行业具有较其他半导体产品更为突出的强周期性特征，核心驱动因素为市场供需波动。一方面，供给端调整存在天然滞后性，厂商虽会依据下游需求变化制定产能策略，但新建产线的产能爬坡需耗时多个季度，全新晶圆厂从资本投入到产能释放更是长达数年，极易引发供需阶段性错配；另一方面，行业供给端高度集中，头部厂商垄断绝大部分市场份额，行业整体资本开支节奏趋同，新增或缩减产能的决策往往同步落地，进一步放大了行业的周期波动，形成了传统周期中“去库存—涨价—扩产—产能过剩—跌价”的经典波动规律。

而本轮存储行业周期与传统周期存在本质区别，已摆脱库存主导的被动波动模式，进入由AI产业浪潮驱动的主动增长周期。AI催生的刚性需求构成核心引擎，叠加国际大厂向HBM、DDR5等高端产能战略性倾斜、新增产能释放滞后形成的供给端结构性收缩，形成“需求爆发+供给优化”的双向共振，正式开启AI时代的存储超级周期。

这一周期转型特征也体现在市场价格的阶段性走势中。据光大证券研报，受全球宏观经济环境影响，2024年第三季度起全球存储价格进入逐季下滑通道，并在2025年第一季度触及阶段性低点；但同期在AI浪潮下，全球高效能推理服务需求大幅增长，传统大容量HDD率先供不应求，云服务提供商（CSP）纷纷将存储需求转向QLC Enterprise SSD，其外溢效应带动NAND Flash全品类价格上涨，也为DRAM市场的后续回暖奠定了市场基础。

在供给端，DRAM行业已形成寡头垄断格局，三星（SAMSUNG）、SK海力士（SK Hynix）、美光（Micron）三家头部厂商主导全球DRAM市场；NAND Flash市场同样呈现高度集中态势，除上述三家企业外，闪迪（SanDisk）、铠侠（KIOXIA）等少数厂商共同占据市场主导地位。2024年起，随着AI芯片技术的持续迭代升级，单一芯片可搭载的高带宽存储器（HBM）容量大幅增长，三大头部厂商均开启产能结构性调整，将核心产能向HBM、DDR5等高端产品倾斜，同时加速退出消费级、工业级DDR4产能，推动行业整体供给结构向高端化加速集中，中低端供给端收缩态势显著。

需求端则呈现多场景共振发力的格局，持续驱动DRAM需求爆发式增长，供需缺口进一步扩大。其中，AI服务器成为需求核心拉动力，叠加全球数据中心建设持续提速，算力端对高性能DRAM的需求稳步攀升；消费电子领域开启存储配置升级浪潮，AI PC内存标配提升至32GB、AI手机内存标配升级至16GB，直接带动消费级DRAM需求回暖复苏；与此同时，智能网联汽车渗透率持续提升，车规级DRAM在车载系统、自动驾驶等场景的应用需求快速放量。多重需求场景的协同放量，共同构筑起存储行业价格上行的核心支撑。

反映到细分产品价格预测上，据TrendForce集邦咨询测算，2026年第一季度存储产品价格将延续上涨态势，NAND Flash产品价格预计上涨33%～38%，一般型DRAM价格涨幅更为显著，预计达到55%～60%。

二、产业链受益图谱：四大环节业绩兑现，标的分化明显

2.1存储模组与主控芯片：业绩弹性之王，自研主控企业领跑

在存储涨价潮的价值传导链条中，存储模组厂商作为成品直接面向终端的核心环节，成为价格上涨红利的“第一承接者”，业绩弹性尤为突出。而具备自研主控芯片能力的企业，凭借对核心技术的掌控，既能通过供应链协同优化成本，又能依托定制化产品获取溢价，在行业景气周期中实现利润率与营收的双重跳升，成为模组赛道的领跑者。

佰维存储作为国内少数打通“存储芯片封装测试+模组制造”环节的企业，核心产品覆盖嵌入式存储、PC存储、车规存储、企业级存储和移动存储，并推出了自主研发的首款国产主控芯片SP1800（eMMC）。据业绩预增公告，受益于存储产品价格上升，该公司预计2025年营收同比增长49.36%～79.23%，归母净利润同比暴增427.19%～520.22%，扣非净利润同比增长1034.71%～1243.74%，业绩增速位居行业前列，全产业链布局的优势在涨价周期中充分释放。

江波龙（301308.SZ）同样凭借自研主控芯片的核心竞争力脱颖而出，产品体系涵盖消费级存储（存储卡、U盘）、工业级存储（嵌入式eMMC/UFS）、AI服务器存储模组（SOCAMM），形成“主控+模组”的垂直整合优势。据2025年三季报，该公司第三季度归母净利润达6.98亿元，同比增长近20倍，创下单季业绩新高，自研主控芯片带来的成本控制能力与AI服务器模组的放量，成为业绩爆发的核心驱动力。

德明利则聚焦细分高景气赛道，掌握了主控芯片研发核心技术,产品涵盖固态硬盘类、嵌入式存储类、内存条类及移动存储类四大系列，已广泛应用于数据中心、手机、车载电子、平板、安防监控等多元应用场景。据业绩预增公告，受益于存储产品涨价，该公司2025年营收同比增长115.82%～136.77%，归母净利润同比增长85.42%～128.21%，为业绩增长提供了支撑。

2.2存储芯片设计：利基市场+国产化双轮驱动，高毛利赛道价值凸显

在存储行业的结构性景气周期中，利基型存储的持续缺货叠加车规、工业等高端领域的国产化提速，成为存储芯片设计环节的核心增长引擎。凭借技术研发与产品认证构筑的高壁垒，设计企业不仅收获显著的毛利率优势，更依托各细分赛道的差异化布局实现业绩稳健增长，成为国产存储突围的核心力量。

兆易创新（603986.SH）聚焦NOR Flash与利基型DRAM两大核心赛道，核心产品覆盖NOR Flash、SLC NAND Flash、利基型DRAM及MCU芯片，在消费电子、工业、通信、汽车电子等领域实现了全品类覆盖。公告显示，2024年，其NOR Flash产品市占率位列全球第二、中国内地第一，市场地位稳固，充分受益于细分领域的结构性缺货与国产化红利。2025年，该公司预计营业收入同比增长约25%，归母净利润同比增长约46%。

聚辰股份（688123.SZ）构建了EEPROM、NOR Flash、电源管理芯片的多元化产品矩阵，拥有配套DDR2/3/4/5内存模组的全系列SPD芯片、TS芯片产品组合，其EEPROM芯片全面覆盖车规级、消费级、工业级应用场景，是公司核心业绩支柱。2025年前三季度，该公司归母净利润同比增长51.33%，车规级产品的放量成为业绩增长的新动能。

北京君正（300223.SZ）主要产品线覆盖计算芯片、存储芯片、模拟与互联芯片等，其存储芯片分为SRAM、DRAM和Flash三大类别，主要面向汽车、工业、医疗等行业市场及高端消费类市场。2025年前三季度，该公司归母净利润同比下滑15.99%，利润呈阶段性承压态势。

东芯股份（688110.SH）是国内少数同时具备利基型DRAM、NAND Flash、NOR Flash全品类设计能力的企业，其中DRAM产品包括DDR3(L)、LPDDR1、LPDDR2、LPDDR4x、PSRAM，主要应用于物联网、工业控制、消费电子等领域。据业绩预告，2025年，该公司营业收入预计同比增长约43.75%，归母净利润亏损将同比扩大4.10%～28.03%，盈利端面临较大压力。

普冉股份(688766.SH)深耕中小容量非易失性存储芯片领域，专注NOR Flash+EEPROM双赛道，覆盖工业控制、消费电子等细分场景。2025年前三季度，该公司营业收入同比增长4.89%，维持小幅增长态势；归母净利润同比下滑73.73%，利润下滑幅度较为明显。2026年1月26日晚，普冉股份披露2025年业绩预告，全年营收预计同比增长28.63%，归母净利润同比下滑29.89%，降幅较第三季度大幅收窄。

2.3封测与分销：产能红利+库存重估双加持，业绩弹性超预期

伴随长鑫存储、长江存储等国内存储晶圆厂的加速扩产，存储封测环节迎来实打实的产能红利，订单量与产能利用率持续走高；而存储分销商则凭借行业周期判断与库存管理能力，充分享受芯片涨价带来的库存重估收益，成为本轮存储超级周期中低调的“隐形赢家”。封测与分销两大环节，均在产业趋势加持下展现出超预期的业绩弹性。

封测环节：绑定头部晶圆厂，先进封装技术突破兑现业绩

封测作为存储芯片制造的关键环节，国内企业依托与国内外头部晶圆厂的深度合作，在产能配套与先进封装技术上持续突破，成为存储扩产浪潮的核心受益者，产能利用率维持高位，业绩稳步释放。

深科技（000021.SZ）主要从事电子制造供应链服务，旗下存储半导体业务为高端存储芯片的封装与测试，主要产品包括DRAM运存（DDR4/DDR5）、LPDDR低功耗运存（LPDDR4/LPDDR5）、NANDFLASH闪存（SSD颗粒）及嵌入式存储（uMCP/UFS）。2025年前三季度，深科技的营业收入同比增长3.93%，归母净利润同比增长14.27%。

此外，长电科技（600584.SH）、通富微电（002156.SZ）、华天科技（002185.SZ）作为综合封测领域的头部标杆企业，在AI需求引爆的存储超级周期下，订单量与产能利用率持续走高，业绩弹性显著，同时受益于国产存储晶圆厂扩产带来的长期成长红利。其中，通富微电业绩表现尤为亮眼，该公司预计2025年归母净利润同比增长62.34%～99.24%，彰显出封测企业在行业景气周期中的强劲盈利动能。

分销环节：库存重估释放红利，分销+自研双轮驱动增长

存储分销环节背靠全球存储供应链，在芯片价格上行周期中，渠道库存的重估成为核心业绩增量，头部分销商凭借与原厂的长期合作关系、完善的分销网络及动态库存调配能力，充分捕捉行业红利，部分企业更叠加自研业务突破，进一步提升盈利水平。

香农芯创（300475.SZ）是国内专业的存储芯片分销商，同时布局自研业务形成协同，与SK海力士等头部存储厂商建立长期代理合作关系，可通过动态库存调配精准捕捉涨价周期红利。2025年第三季度末，该公司的存货金额高达18.13亿元。受益于存储芯片价格持续上行实现显著的库存重估收益，2025年，该公司预计归母净利润同比增长81.77%～134.78%，在本轮存储涨价周期中充分兑现业绩弹性。

2.4上游设备与材料：扩产+技术升级双轮驱动，长期成长逻辑确立

随着长鑫存储、长江存储的产能持续扩张，叠加HBM堆叠、3D NAND层数提升等存储技术的迭代升级，高端半导体设备与材料的市场需求被持续激活。作为存储产业链的核心配套环节，上游设备与材料企业虽受行业扩产节奏影响，业绩兑现节奏相对较慢，但依托国产替代的硬性需求与技术升级的持续拉动，行业长期成长的确定性已然夯实。

北方华创（002371.SZ）是国内半导体设备领域的平台型龙头，在逻辑、存储及先进封装等领域不断实现技术突破，核心产品覆盖刻蚀、薄膜沉积、热处理、湿法、离子注入等核心工艺装备。2025年前三季度，该公司营业收入同比增长32.97%，归母净利润同比增长14.83%，国产化下的订单红利持续兑现。

中微公司（688012.SH）是全球刻蚀设备领域的核心玩家，更是国内刻蚀设备龙头，核心产品涵盖刻蚀、薄膜沉积等设备。2025年半年报显示，该公司的ICP刻蚀设备在涵盖逻辑、DRAM、3DNAND、功率和电源管理、微电机系统等芯片和器件的50多个客户的生产线上大规模量产。2025年，该公司预计营业收入同比增长36.62%，归母净利润同比增长28.74%～34.93%。

三、核心观点：结构性超级景气延续，产业链迎估值盈利双升

此轮存储行业涨价并非传统周期的简单反弹，而是AI算力爆发催生的结构性超级景气周期。在此背景下，国内存储产业链凭借涨价红利传导、核心技术突破、国产化提速三大核心优势，正同步迎来盈利端的实质性改善与估值端的重塑。

不过，投资者需理性警惕潜在风险：一是AI需求落地进度不及预期，可能导致存储芯片需求下修；二是国际大厂2027年新增产能逐步释放，或引发行业供需格局重构与价格回调；三是地缘政治冲突可能影响高端设备、核心材料进口，制约国产存储扩产与技术迭代节奏；四是部分模组厂商消费级产品库存高企，若消费电子需求复苏乏力，可能面临库存消化压力。

（全文4738字）

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