硅电容产业待新路径破局 朗矽科技试水行业标准化应用

电容不再是单一组件，而是整体解决方案的一部分。

11月28日，聚焦高端电子元器件产业变革的芯质俱乐部年会暨硅电容生态大会在上海召开。

本次大会由上海同济经济园区发展有限公司与上海朗矽科技有限公司联合主办，汇聚了嘉定区政府领导、芯片产业上下游企业代表、硬科技领域一线投资机构、高校科研团队及行业研究员，更将通过发布硅电容行业白皮书、核心技术分享、两场圆桌论坛及合作签约等重磅环节，搭建起技术交流、资源对接与生态协同的核心平台，共同探索中国在高端电容与芯片支撑环节的自主突破路径，为硅电容产业的产业化进程注入新动能。

朗矽科技于2023年3月成立，致力于以“硅电容”切入高端电子元器件赛道，逐步构建国产化高端元件平台。公司专注于3D硅电容、硅电感及硅电阻的设计、研发与销售，产品广泛覆盖AI算力芯片、高性能SoC、高速光模块、服务器高密度电源等百亿级应用市场，获得24项核心专利，并获批2024年上海市集成电路先导产业项目。

在高端电子元器件领域，传统MLCC（多层陶瓷电容）长期面临“卡脖子”困境——从关键原材料BaTiO₃粉体，到核心设备带式炉、浆料涂敷系统，再到工艺配方，全链条被村田、TDK、京瓷等日系企业垄断，因此，在先进手机 SoC、大芯片、服务器、电动车电子等应用领域，国产替代空间巨大但切入门槛极高，行业急需新路径破局。

朗矽科技根据行业痛点，选择以“硅电容”为战略切入点。硅电容使用CMOS/MEMS工艺制造，本质上属于半导体设备体系，不再受制于日系厂商垄断的陶瓷材料体系。这被认为是“技术路线换道超车”。

与当前主流的陶瓷电容相比，硅电容在高频、高可靠、小型化方面具备天然优势。硅电容通过半导体工艺革新解决了MLCC的三大瓶颈，在空间方面硅电容实现纳米级介质层，可用3D封装集成。标准化的硅电容可以做到100 µm，定制化的可以做到40~50 µm，可用于高性能SoC的封装模块，更契合终端产品小型化的需求；高频方面，硅电容ESL/ESR逼近物理极限。同时，硅电容寿命更是达到传统MLCC的20倍。

当前，硅电容已被英伟达和苹果率先应用，可显著提升主芯片性能。“AI芯片的功耗大、频率高，电源稳定性直接影响运算效率。硅电容能在高频下提供极低阻抗和优异的高频特性，在AI服务器、光通信模块中起到稳压核心、高频滤波等作用”，朗矽科技创始人汪大祥表示。

据市场调查公司Transparency Market Research数据显示，2021年全球硅电容市场规模为15.8亿美元，随着AI服务器、电源管理、光通信需求的爆发，未来三年硅电容将进入快速成长阶段。

在技术研发层面，朗矽科技以半导体精密制造的思维代替传统被动组件的研发制造，研发高介电常数薄膜与低损耗结构，导入先进ALD技术，使硅电容具备高容值密度、低ESR、低ESL和低漏电等特性。

在商业化落地层面，朗矽科技正与AI大算力芯片、SOC芯片、电源管理IC、光模块等头部企业治谈合作，计划联合开发模块级整合产品，让电容不再是单一组件，而是整体解决方案的一部分，推动行业标准化应用。

对于如何缩短与国际巨头的差距，汪大祥表示，“中国市场庞大、应用多元多样，客户对新技术接受度高，这让我们能够快速试错、优化快速迭代。同时，我们在高密度整合设计、封装定制化、与AI应用场景的结合上走得更灵活。与国际巨头相比，我们在品牌影响力和客户信赖度上仍在追赶，但在技术迭代、高密度整合与定制化封装上已有自主优势，可针对AI、HPC、SOC等场景提供订制且更高性能的解决方案。”

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